超低阻抗表征利用鎖相技術(shù)測量阻抗的原理
點擊次數(shù)：1285 更新時間：2021-06-15
超低阻抗表征的特征是：利用CR傳輸線模型中某個或者某些分支中電阻和電容的比值與電池擴散特征的關(guān)系表征電池，揭示電池擴散特征隨荷電量SOC、溫度、電化成階段、電極中摻雜量和流動模式控制條件變化的關(guān)系。具有基本原理清楚、操作過程簡單、數(shù)據(jù)處理便捷、結(jié)果客觀可靠和無破壞性的優(yōu)點，因而在科學研究和電池應(yīng)用中具有重要價值。
超低阻抗表征利用鎖相技術(shù)測量阻抗：
基于證明的鎖定技術(shù)的MFLI。采用鎖相技術(shù)的關(guān)鍵強度測量阻抗，同時測量DUT的相敏電壓和電流。阻抗值由測量電壓除以測量電流而同時考慮相位給出。采用兩個基本測量電路中的一個來完成這個任務(wù)：一個有利于高阻抗的兩端設(shè)置和一個適合大多數(shù)情況并且有利于低阻抗的四端電路。由于超級電容器將導致ESR占優(yōu)勢區(qū)域的低阻抗值，所以四端測量方法是合適的選擇。
示意性設(shè)置；DUT由右側(cè)的正弦信號電壓驅(qū)動，測量DUT兩端的電壓降，同時左側(cè)監(jiān)測電流。另外兩個引線連接到DUT的兩側(cè)以測量跨過的電壓降。所有的電流都流過LCUR和HCUR連接器，而LPOT和HPOT是無電流的，并且用作電位的無創(chuàng)探針。這種四端裝置有利于測量小阻抗，因為它對電纜、連接器、焊接點等中的串聯(lián)阻抗的影響不敏感。
